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高純度ウランヘクサカーボニル99.9% 原子層堆積技術で適用され,LCDOLEDディスプレイと半導体産業に適した優れた電気的および機械的特性
| 起源の場所 | 中国 |
|---|---|
| ブランド名 | N/A |
| 証明 | COA |
| モデル番号 | 4N |
| 文書 | COA of Tungsten hexacarbon...N).pdf |
| 最小注文数量 | 500g |
| 価格 | USD4500/kg |
| パッケージの詳細 | 500g/btl または 1kg/btl |
| 受渡し時間 | 3~5営業日 |
| 支払条件 | L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン |
| 供給の能力 | 100kg/月 |
| 名前 | タングステンヘキサカルボニル | 略語 | W(CO)6 |
|---|---|---|---|
| カス | 14040-11-0 | MF | C6O6W |
| 純度 | 最低99.9% | 色 | 白色の結晶性粉末 |
| ICPによるW含有量(%) | 51.7~52.8 | Cコンテンツ(%) | 20.1~20.9 |
| アプリケーション | 触媒、LCD OLEDディスプレイおよび半導体産業 |
高純度ウランヘクサカーボニル99.9% 原子層堆積技術で適用され,LCDOLEDディスプレイと半導体産業に適した優れた電気的および機械的特性
仕様 高純度ウルグメントヘクサカルボニル99.9%
| CAS | 14040-11-0 オーケー |
| 純度 | 最低 99.9% |
| MF | C について6オー6W |
| MW | 351.9 |
| 色 | 白い結晶粉末 |
| 適用する | 触媒 Dエポジット・ウォルフスタン薄膜 |
記述高純度ウルグメントヘクサカルボニル99.9%
製品導入
タングステンヘキサカーボニルは,エポキシデーション,サイクロ付加,同体化,その他の有機反応を催化する.薄膜堆積の分野では,タングステンヘキサカーボニルはタングステンフィルム,太陽光を吸収するために適用されます.WF6とは異なり,ワルフスタンヘクサカルボニルの堆積は水素フッ化物を生成せず,基板と機器を腐食から保護します.
名称:ウルグランヘキサカルボニル
化学式:W ((CO) 6
分子重量 3519
CAS番号: 14040-11-0
溶融点: 150 °C
沸点: 175 °C
燃える点: 200°C
溶解性:水に溶けない.有機溶媒に溶ける.
密度: 25°C (ライト) で2.65 g/mL
外見: 白い結晶
保存条件: 30°C以下
適用する高純度ウルグメントヘクサカルボニル99.9%
トルフスタンヘキサカーボニルは,原子層堆積技術で,基板によって支えられている基板の材料層に薄いフィルムを堆積するために適用することができます.優れた電気的および機械的特性を示していますLCDやOLEDなどのディスプレイ産業における修理用途に適しています
よくある質問
Q1: サンプルと公式注文のための通常のリードタイムは何ですか?
A1: サンプルリードタイム 5-7 日. 公式の注文リードタイム 7-14 日.
Q2:あなたのMOQは何ですか?
A2: MOQ は通常 1kg です.
Q3: 製品の品質をどのようにコントロールしますか?
A3: 原材料の検査から 複製検査まで 最終製品の検査まで 厳格に行われます
Q4: 保証は?
A4: 保証期間中に品質の問題がある場合は,新しいバッチを送信します.
Q5:お客様が欠陥のある製品を受け取り,交換を受け入れない場合は,返金しますか?
A5: はい
アイテム写真
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